Výrobca Číslo produktu:
IXFX44N80P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFX44N80P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 44A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventár:
12821695
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFX44N80P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
44A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
198 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
12000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1040W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS247™-3
Balenie / puzdro
TO-247-3 Variant
Základné číslo produktu
IXFX44
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SCT3120ALGC11
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6940
ČÍSLO DIELU
SCT3120ALGC11-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.30
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STW24N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
562
ČÍSLO DIELU
STW24N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.39
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R6024KNZ1C9
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3
ČÍSLO DIELU
R6024KNZ1C9-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.03
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFT120N15P
MOSFET N-CH 150V 120A TO268
IXTA44N30T
MOSFET N-CH 300V 44A TO263
IXFM15N60
MOSFET N-CH 600V 15A TO204AE
