IXKG25N80C
Výrobca Číslo produktu:

IXKG25N80C

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXKG25N80C-DG

Popis:

MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 25A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISO264™

Inventár:

12907532
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXKG25N80C Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
150mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 2mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISO264™
Balenie / puzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základné číslo produktu
IXKG25

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
25

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
littelfuse

IXFH22N50P

MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD

rohm-semi

RSH090N03TB1

MOSFET N-CH 30V 9A SOP8

vishay-siliconix

IRFR9310

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

vishay-siliconix

IRF9510STRL

MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK