Výrobca Číslo produktu:
RSH090N03TB1
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RSH090N03TB1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 9A SOP8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventár:
12907547
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RSH090N03TB1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (max.)
20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
810 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
RSH090
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
RSH090N03TB1DKR
846-RSH090N03TB1TR
RSH090N03TB1TR
RSH090N03TB1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDS8878
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
570614
ČÍSLO DIELU
FDS8878-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.20
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RSH090N03TB1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
RSH090N03TB1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.38
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR9310
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
IRF9510STRL
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
IRFBC30STRL
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
