Výrobca Číslo produktu:
IXTA4N70X2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTA4N70X2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 700V 4A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
13270815
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTA4N70X2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Ultra X2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
700 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
386 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
80W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXTA4
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
238-IXTA4N70X2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
R6007KNJTL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
17
ČÍSLO DIELU
R6007KNJTL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.74
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R6007ENJTL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2
ČÍSLO DIELU
R6007ENJTL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.74
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB12NK80ZT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
312
ČÍSLO DIELU
STB12NK80ZT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.19
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTP20N65X2M
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
IXTA42N25P-TRL
MOSFET N-CH 250V 42A TO263
IXTA3N50D2-TRL
MOSFET N-CH 500V 3A TO263
