Výrobca Číslo produktu:
IXTA6N50P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTA6N50P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventár:
12819298
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTA6N50P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
PolarHV™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
740 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263AA
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXTA6
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTA8N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
90
ČÍSLO DIELU
IXTA8N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.41
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRF730STRLPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IRF730STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.93
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STD6N52K3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2751
ČÍSLO DIELU
STD6N52K3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.45
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFH20N85X
MOSFET N-CH 850V 20A TO247
IXTT2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
IXFH23N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
