Výrobca Číslo produktu:
IXTH110N10L2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTH110N10L2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 110A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventár:
12821833
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTH110N10L2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Linear L2™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
600W (Tc)
Prevádzková teplota
-
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 (IXTH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXTH110
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
624231
Q5291125
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTF6N200P3
MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
IXFP26N50P3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
IXFQ24N50Q
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
