IXTH11P50
Výrobca Číslo produktu:

IXTH11P50

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXTH11P50-DG

Popis:

MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Podrobný popis:
P-Channel 500 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventár:

12912078
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXTH11P50 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4700 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 (IXTH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXTH11

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30
Iné mená
IXTH11P50-NDR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
littelfuse

IXTH36N50P

MOSFET N-CH 500V 36A TO247

littelfuse

IXFA80N25X3

MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA

vishay-siliconix

IRFS11N50A

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

vishay-siliconix

SI5475BDC-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8