Výrobca Číslo produktu:
IXTH2N150
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTH2N150-DG
Popis:
DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO
Podrobný popis:
N-Channel 1500 V 2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventár:
12966526
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTH2N150 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
830 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
170W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 (IXTH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXTH2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
238-IXTH2N150
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMTH8001STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
DMTH10H1M7STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
SQM40016EM_GE3
MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7
