Výrobca Číslo produktu:
IXTH6N80A
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTH6N80A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 6A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventár:
12820034
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
iS8Z
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTH6N80A Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
180W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 (IXTH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXTH6
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP7N80K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
860
ČÍSLO DIELU
STP7N80K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.98
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFH220N20X3
MOSFET N-CH 200V 220A TO247
IXTH21N50Q
MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
IXTT64N25P
MOSFET N-CH 250V 64A TO268
