Výrobca Číslo produktu:
IXTN60N50L2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTN60N50L2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 53A (Tc) 735W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventár:
2 Ks Nové Originálne Na Sklade
12820875
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTN60N50L2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Linear L2™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
53A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
610 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
24000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
735W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-227B
Balenie / puzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základné číslo produktu
IXTN60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STE53NC50
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STE53NC50-DG
CENA ZA JEDNOTKU
30.09
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
APT5010JVFR
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
21
ČÍSLO DIELU
APT5010JVFR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
31.34
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTT16P20
MOSFET P-CH 200V 16A TO268
IXFT88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
IXFK140N25T
MOSFET N-CH 250V 140A TO264AA
