Výrobca Číslo produktu:
IXTP01N100D
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTP01N100D-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12819679
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTP01N100D Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Depletion
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
400mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
0V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 25µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
100 pF @ 25 V
Funkcia FET
Depletion Mode
Stratový výkon (max.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXTP01
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
607074
Q1614635
IXTP01N100D-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTP2N100
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
IXFK73N30Q
MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA
IXFM1766
POWER MOSFET TO-3
