Výrobca Číslo produktu:
IXTQ16N50P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTQ16N50P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventár:
13 Ks Nové Originálne Na Sklade
12823608
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTQ16N50P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
400mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2250 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
IXTQ16
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
2SK1317-E
VÝROBCA
Renesas Electronics Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5608
ČÍSLO DIELU
2SK1317-E-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.29
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STW20NK50Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
728
ČÍSLO DIELU
STW20NK50Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.02
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STW14NK50Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
66
ČÍSLO DIELU
STW14NK50Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.95
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRLR3802TRPBF
MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
IXFE55N50
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
IRF6100
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET