Výrobca Číslo produktu:
IXTQ182N055T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTQ182N055T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 182A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 182A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventár:
12821951
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTQ182N055T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
TrenchMV™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
182A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4850 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
IXTQ182
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTH260N055T2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3
ČÍSLO DIELU
IXTH260N055T2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.89
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
IXTH52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO247
IXFN210N30X3
MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
