Výrobca Číslo produktu:
APT56M60B2
Product Overview
Výrobca:
Microchip Technology
Číslo dielu:
APT56M60B2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventár:
13247406
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
APT56M60B2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microchip Technology
Balenie
Tube
Seriál
POWER MOS 8™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
130mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 2.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
280 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
11300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1040W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 [B]
Balenie / puzdro
TO-247-3 Variant
Základné číslo produktu
APT56M60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
APT56M60B2MP-ND
APT56M60B2MP
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPW60R099CPAFKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
196
ČÍSLO DIELU
IPW60R099CPAFKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.16
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
APT5020BNFR
MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
APT10M19SVRG
MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
APT30M36JLL
MOSFET N-CH 300V 76A ISOTOP
