Výrobca Číslo produktu:
TP5335MF-G-VAO
Product Overview
Výrobca:
Microchip Technology
Číslo dielu:
TP5335MF-G-VAO-DG
Popis:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO
Podrobný popis:
P-Channel 350 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventár:
13004384
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TP5335MF-G-VAO Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Microchip Technology
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
350 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
85mA (Tj)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
30Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
110 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q100
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-DFN (2x2)
Balenie / puzdro
6-VDFN Exposed Pad
Základné číslo produktu
TP5335
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
150-TP5335MF-G-VAOTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
