Výrobca Číslo produktu:
BUK7E2R6-60E,127
Product Overview
Výrobca:
Nexperia USA Inc.
Číslo dielu:
BUK7E2R6-60E,127-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventár:
12830735
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BUK7E2R6-60E,127 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
-
Seriál
TrenchMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
158 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
11180 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
349W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I2PAK
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
1727-7243
2156-BUK7E2R6-60E,127-NEX
568-9851-5-DG
568-9851-5
NEXNEXBUK7E2R6-60E,127
BUK7E2R660E127
934066514127
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPI024N06N3GXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPI024N06N3GXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.35
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSR302NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59
PSMN4R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
BSH111BKR
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
