PMPB07R3ENAX
Výrobca Číslo produktu:

PMPB07R3ENAX

Product Overview

Výrobca:

Nexperia USA Inc.

Číslo dielu:

PMPB07R3ENAX-DG

Popis:

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020M-6

Inventár:

3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
13001002
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

PMPB07R3ENAX Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Nexperia
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
914 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DFN2020M-6
Balenie / puzdro
6-UDFN Exposed Pad

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
1727-PMPB07R3ENAXCT
1727-PMPB07R3ENAXDKR
1727-PMPB07R3ENAXTR
5202-PMPB07R3ENAXTR
934662428184

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
taiwan-semiconductor

TSM038N03PQ33

30V, 78A, SINGLE N-CHANNEL POWER

goford-semiconductor

G28N03D3

MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L

onsemi

FDMT800120DC-22897

FET 120V 4.2 MOHM PQFN88

taiwan-semiconductor

TSM80N950CP

800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER