Výrobca Číslo produktu:
PHM21NQ15T,518
Product Overview
Výrobca:
NXP USA Inc.
Číslo dielu:
PHM21NQ15T,518-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 22.2A 8HVSON
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 22.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (5x6)
Inventár:
12872019
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PHM21NQ15T,518 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
-
Seriál
TrenchMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
55mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
36.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2080 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
62.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-HVSON (5x6)
Balenie / puzdro
8-VDFN Exposed Pad
Základné číslo produktu
PHM21
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
PHM21NQ15T /T3-DG
934057305518
PHM21NQ15T /T3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSC520N15NS3GATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13559
ČÍSLO DIELU
BSC520N15NS3GATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDMS2572
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
FDMS2572-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.96
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP210N75F6
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
STF16N65M2
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
STL33N60DM6
MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
