Výrobca Číslo produktu:
STL33N60DM6
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STL33N60DM6-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventár:
12872052
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STL33N60DM6 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
MDmesh™ M6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
140mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.75V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1500 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerFlat™ (8x8) HV
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
STL33
Technické údaje a dokumenty
Stručný prehľad produktu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
497-STL33N60DM6DKR
497-STL33N60DM6TR
497-STL33N60DM6CT
STL33N60DM6-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STI23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK
STB25NM60N
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
STB100NF03L-03-1
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
