Výrobca Číslo produktu:
STU10NM65N
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STU10NM65N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventár:
12872071
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STU10NM65N Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
MDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
480mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
850 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
STU10N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP10NK80ZFP
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
999
ČÍSLO DIELU
STP10NK80ZFP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.94
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPS80R600P7AKMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPS80R600P7AKMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.69
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STB80NF55L-08-1
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
STB80N4F6AG
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
STD36NH02L
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
