Výrobca Číslo produktu:
PMDPB42UN,115
Product Overview
Výrobca:
NXP USA Inc.
Číslo dielu:
PMDPB42UN,115-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6HUSON
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 3.9A 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Inventár:
12811484
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PMDPB42UN,115 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.9A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
50mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3.5nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
185pF @ 10V
Výkon - Max
510mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-UDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
6-HUSON (2x2)
Základné číslo produktu
PMDPB
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
NEXNXPPMDPB42UN,115
PMDPB42UN,115-DG
568-10758-6
568-10758-1
568-10758-2
2156-PMDPB42UN115-NXTR-DG
2156-PMDPB42UN115
2156-PMDPB42UN,115-DG
934066485115
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN2050LFDB-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
24109
ČÍSLO DIELU
DMN2050LFDB-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.11
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMN2050LFDB-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2585
ČÍSLO DIELU
DMN2050LFDB-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.11
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PMGD130UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
PMDPB95XNE,115
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON
PMGD175XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP