Výrobca Číslo produktu:
PSMN8R7-80PS,127
Product Overview
Výrobca:
NXP Semiconductors
Číslo dielu:
PSMN8R7-80PS,127-DG
Popis:
NEXPERIA PSMN8R7 - N-CHANNEL 80
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
6806 Ks Nové Originálne Na Sklade
12996518
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PSMN8R7-80PS,127 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3346 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
170W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
313
Iné mená
2156-PSMN8R7-80PS,127-954
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Vendor Undefined
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PHB29N08T,118
NEXPERIA PHB29N08T - 27A, 75V, 0
BUK7575-55A,127
NEXPERIA BUK7575 - N-CHANNEL MO
IXFP50N20X3
DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS TO-2
