Výrobca Číslo produktu:
SI9936DY,518
Product Overview
Výrobca:
NXP USA Inc.
Číslo dielu:
SI9936DY,518-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 5A 900mW Surface Mount 8-SO
Inventár:
12811465
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI9936DY,518 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
NXP Semiconductors
Balenie
-
Seriál
TrenchMOS™
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
50mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
900mW
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Základné číslo produktu
SI9936
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
934056385518
SI9936DY /T3-DG
SI9936DY /T3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
2 (1 Year)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NTMD4N03R2G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
31663
ČÍSLO DIELU
NTMD4N03R2G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.23
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF7303TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IRF7303TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.29
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PMDPB42UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6HUSON
PMGD130UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
PMDPB95XNE,115
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON