Výrobca Číslo produktu:
FCMT250N65S3
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FCMT250N65S3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount Power88
Inventár:
3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12846904
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FCMT250N65S3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
SuperFET® III
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
250mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 1.2mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1010 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
Power88
Balenie / puzdro
4-PowerTSFN
Základné číslo produktu
FCMT250
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FCMT250N65S3OSCT
FCMT250N65S3-DG
FCMT250N65S3OSTR
FCMT250N65S3OSDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPL65R160CFD7AUMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPL65R160CFD7AUMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.63
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HUFA76429D3S
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
FDP083N15A-F102
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
FDMC7672S
MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
