Výrobca Číslo produktu:
FCP125N65S3R0
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FCP125N65S3R0-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
800 Ks Nové Originálne Na Sklade
12846058
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FCP125N65S3R0 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
SuperFET® III
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 2.4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1940 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
181W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FCP125
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
FCP125N65S3R0OS
FCP125N65S3R0-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPP60R099C7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPP60R099C7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.11
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPP60R125P6XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPP60R125P6XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.16
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP30N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5189
ČÍSLO DIELU
STP30N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.17
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP40N65M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
37
ČÍSLO DIELU
STP40N65M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.57
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TK25E60X,S1X
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13
ČÍSLO DIELU
TK25E60X,S1X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.80
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AOK27S60L
MOSFET N-CH 600V 27A TO247
AOT424
MOSFET N-CH 30V 110A TO220
NTMFS4837NHT1G
MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
