Výrobca Číslo produktu:
FDA79N15
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDA79N15-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 79A TO3PN
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 79A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventár:
12851068
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDA79N15 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
UniFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
79A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
30mOhm @ 39.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3410 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
417W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3PN
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
FDA79
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFP4321PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5739
ČÍSLO DIELU
IRFP4321PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.19
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
2SK1317-E
VÝROBCA
Renesas Electronics Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5608
ČÍSLO DIELU
2SK1317-E-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.29
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTQ96N15P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTQ96N15P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.21
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDC642P-F085
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
MCH6421-TL-W
MOSFET N-CH 20V 5.5A MCPH6
IRFP450B
MOSFET N-CH 500V 14A TO3P
