Výrobca Číslo produktu:
FDB8132_F085
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDB8132_F085-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 341W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12848522
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDB8132_F085 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
350 nC @ 13 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
14100 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
341W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FDB813
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
FDB8132_F085TR
FDB8132_F085DKR
FDB8132_F085CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BUK761R6-40E,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
BUK761R6-40E,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.66
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
PSMN1R5-30BLEJ
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9771
ČÍSLO DIELU
PSMN1R5-30BLEJ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.01
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDP39N20
MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
FQE10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
FQP5N80
MOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3
