Výrobca Číslo produktu:
FDMC4435BZ
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMC4435BZ-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventár:
11065 Ks Nové Originálne Na Sklade
12851191
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMC4435BZ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.5A (Ta), 18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2045 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.3W (Ta), 31W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-MLP (3.3x3.3)
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Základné číslo produktu
FDMC4435
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FSCFDMC4435BZ
FDMC4435BZTR
FDMC4435BZDKR
FDMC4435BZCT
2156-FDMC4435BZ-OS
2832-FDMC4435BZTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDS6673BZ-F085
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
FDU8880
MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK
FDZ191P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
