Výrobca Číslo produktu:
FDMD8580
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMD8580-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 80V 16A/82A PWR56
Podrobný popis:
Mosfet Array 80V 16A (Ta), 82A (Tc) 2.3W Surface Mount Power56
Inventár:
12839574
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMD8580 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 82A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
80nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5875pF @ 40V
Výkon - Max
2.3W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Balík zariadení dodávateľa
Power56
Základné číslo produktu
FDMD85
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMD8580TR
FDMD8580CT
FDMD8580DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NX7002BKXBZ
MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
FDS8984-F085
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
EFC6602R-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718