Výrobca Číslo produktu:
FDS9933BZ
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDS9933BZ-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 4.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12839606
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDS9933BZ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.9A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
46mOhm @ 4.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
985pF @ 10V
Výkon - Max
900mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
FDS99
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FDS9933BZCT
FDS9933BZTR
FDS9933BZDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDS6875
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2630
ČÍSLO DIELU
FDS6875-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.46
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDS4559
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
ECH8651R-R-TL-HX
MOSFET
FDW2501NZ
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
