Výrobca Číslo produktu:
FDME410NZT
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDME410NZT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 7A MICROFET
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 7A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
Inventár:
12835949
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDME410NZT Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
26mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1025 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
MicroFet 1.6x1.6 Thin
Balenie / puzdro
6-PowerUFDFN
Základné číslo produktu
FDME41
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
FDME410NZTTR
FDME410NZTCT
FDME410NZTDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDC637AN
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12361
ČÍSLO DIELU
FDC637AN-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
PMPB15XN,115
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
PMPB15XN,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.10
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FDME820NZT
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9500
ČÍSLO DIELU
FDME820NZT-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.36
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AUIRF2805S
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
FCB11N60TM
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
FDD4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
