Výrobca Číslo produktu:
FDMQ8403
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMQ8403-DG
Popis:
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
Podrobný popis:
Mosfet Array 100V 3.1A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
Inventár:
15891 Ks Nové Originálne Na Sklade
12849764
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMQ8403 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
GreenBridge™ PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
4 N-Channel (Full Bridge)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.1A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
110mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
215pF @ 15V
Výkon - Max
1.9W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
12-WDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
12-MLP (5x4.5)
Základné číslo produktu
FDMQ84
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMQ8403TR
FDMQ8403CT
2156-FDMQ8403-488
FDMQ8403DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDS9958
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
AO6601_001
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A 6TSOP
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC