FDMS0306AS
Výrobca Číslo produktu:

FDMS0306AS

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDMS0306AS-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 26A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventár:

3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12838906
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDMS0306AS Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®, SyncFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
26A (Ta), 49A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3550 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 59W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
FDMS0306

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMS0306ASCT
FDMS0306ASDKR
FDMS0306ASTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

FDR838P

MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8

onsemi

FDMS86310

MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN

onsemi

FDB3652-F085

MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB

onsemi

FDS3590

MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC