FDMS86102LZ

Výrobca Číslo produktu:

FDMS86102LZ

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDMS86102LZ-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN

Podrobný popis:

N-Channel 100 V 7A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventár:

66683 Ks Nové Originálne Na Sklade

12838889

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDMS86102LZ Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

100 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

7A (Ta), 22A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

22 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1305 pF @ 50 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-PQFN (5x6)

Balenie / puzdro

8-PowerTDFN

Základné číslo produktu

FDMS86102

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

2156-FDMS86102LZ-OS

FDMS86102LZ-DG

FDMS86102LZCT

FDMS86102LZDKR

ONSONSFDMS86102LZ

FDMS86102LZTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

SFW9640TM

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

onsemi

FQPF33N10L

MOSFET N-CH 100V 18A TO220F

onsemi

FDB14AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB

onsemi

HUFA75307D3

MOSFET N-CH 55V 15A IPAK