Výrobca Číslo produktu:
FDN302P
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDN302P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 2.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventár:
13756 Ks Nové Originálne Na Sklade
12836378
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDN302P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
882 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
FDN302
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDN302P-NDR
FDN302P-DG
FDN302PCT
FDN302PTR
2156-FDN302P-OS
FAIFSCFDN302P
FDN302PDKR
Q1148322
2832-FDN302P
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQH44N10-F133
MOSFET N-CH 100V 48A TO247-3
FQPF5N50C
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
FDP038AN06A0-F102
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3