Výrobca Číslo produktu:
FDP038AN06A0-F102
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDP038AN06A0-F102-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12836402
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDP038AN06A0-F102 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
310W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FDP038
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
2832-FDP038AN06A0-F102-488
FDP038AN06A0_F102
FDP038AN06A0_F102-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFP220N06T3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20
ČÍSLO DIELU
IXFP220N06T3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.54
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTP200N055T2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTP200N055T2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.70
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFP230N075T2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
24
ČÍSLO DIELU
IXFP230N075T2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.38
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFS540A
MOSFET N-CH 100V 17A TO220F
HUFA75309T3ST
MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
FDB12N50UTM_WS
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
