Výrobca Číslo produktu:
FDP19N40
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDP19N40-DG
Popis:
MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 400 V 19A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12848265
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDP19N40 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
UniFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
400 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
240mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2115 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
215W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FDP19
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
ONSONSFDP19N40
2832-FDP19N40
2156-FDP19N40-OS
2832-FDP19N40-488
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NTP185N60S5H
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
795
ČÍSLO DIELU
NTP185N60S5H-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.40
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SIHFB20N50K-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
SIHFB20N50K-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.80
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFP26N50P3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
60
ČÍSLO DIELU
IXFP26N50P3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.46
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVD5890NLT4G
MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
AOD2N100M
MOSFET N-CH TO252
FDMS7672AS
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
