Výrobca Číslo produktu:
SIHFB20N50K-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHFB20N50K-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12787006
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHFB20N50K-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
250mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2870 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
280W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SIHFB20
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDP22N50N
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
987
ČÍSLO DIELU
FDP22N50N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.62
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXTP460P2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
270
ČÍSLO DIELU
IXTP460P2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.30
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFB20N50KPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
912
ČÍSLO DIELU
IRFB20N50KPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.28
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHP21N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB
SISA26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
SIE882DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
