FDP2532
Výrobca Číslo produktu:

FDP2532

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDP2532-DG

Popis:

MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

Online RFQ
12847407
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDP2532 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Ta), 79A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5870 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
310W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FDP25

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDB2532 Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
2156-FDP2532-OS
FAIFSCFDP2532

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
onsemi

FDH50N50

MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3

onsemi

FDN336P

MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

onsemi

FQPF6P25

MOSFET P-CH 250V 4.2A TO220F

onsemi

FQU9N25TU

MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK