Výrobca Číslo produktu:
FDPF18N20FT-G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDPF18N20FT-G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventár:
12838691
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDPF18N20FT-G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
UniFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
140mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1180 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
35W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
FDPF18
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
FDPF18N20FT_G
FDPF18N20FT_G-DG
2832-FDPF18N20FT-G-488
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RCX200N20
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
118
ČÍSLO DIELU
RCX200N20-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.56
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQP13N50C_F105
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
FQP2NA90
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
FDP2710-F085
MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
