FDS6064N3

Výrobca Číslo produktu:

FDS6064N3

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDS6064N3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 23A 8SO

Podrobný popis:

N-Channel 20 V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP

Inventár:

Online RFQ

12847527

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDS6064N3 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

20 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

23A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

1.8V, 4.5V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

4mOhm @ 23A, 4.5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

1.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

98 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±8V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

7191 pF @ 10 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-SO FLMP

Balenie / puzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Základné číslo produktu

FDS60

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,500

Iné mená

FDS6064N3_NLTR-DG

FDS6064N3_NL

FDS6064N3TR-NDR

FDS6064N3DKR

FDS6064N3CT-NDR

FDS6064N3_NLCT

FDS6064N3TR

FDS6064N3_NLCT-DG

FDS6064N3_NLTR

FDS6064N3CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

FDS9412A

MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC

onsemi

NTD5807NT4G

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

onsemi

BS170_L34Z

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

onsemi

FDMC7692S-F126

MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP