Výrobca Číslo produktu:
FDS9412A
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDS9412A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12847528
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDS9412A Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
985 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
FDS94
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI4800BDY-T1-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4805
ČÍSLO DIELU
SI4800BDY-T1-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FDS8884
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7218
ČÍSLO DIELU
FDS8884-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.19
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STS10N3LH5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4575
ČÍSLO DIELU
STS10N3LH5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTD5807NT4G
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
BS170_L34Z
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
FDMC7692S-F126
MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
