FDW258P

Výrobca Číslo produktu:

FDW258P

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDW258P-DG

Popis:

MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP

Podrobný popis:

P-Channel 12 V 9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Inventár:

Online RFQ

12846528

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDW258P Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

12 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

9A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

1.8V, 4.5V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

11mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

1.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

73 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±8V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

5049 pF @ 5 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

1.3W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-TSSOP

Balenie / puzdro

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Základné číslo produktu

FDW25

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,500

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

alpha-and-omega-semiconductor

AOW10N60

MOSFET N-CH 600V 10A TO262

onsemi

FDD13AN06A0

MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK

onsemi

FDMC8878

MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP

onsemi

FDS3570

MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC