FDZ493P

Výrobca Číslo produktu:

FDZ493P

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDZ493P-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

Podrobný popis:

P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.55x1.55)

Inventár:

Online RFQ

12839166

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDZ493P Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

20 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

4.6A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

2.5V, 4.5V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

46mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

1.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

11 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±12V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

754 pF @ 10 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

1.7W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

9-BGA (1.55x1.55)

Balenie / puzdro

9-WFBGA

Základné číslo produktu

FDZ49

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

FDZ493PCT

FDZ493PTR

FDZ493PDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

HUFA76432S3S

MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK

onsemi

FQB6N60TM

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

onsemi

FDD6778A

MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK

onsemi

FQD5N60CTM-WS

MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK