Výrobca Číslo produktu:
FQA55N25
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQA55N25-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 55A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventár:
12850221
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQA55N25 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
55A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
40mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6250 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
310W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3PN
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
FQA55
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTQ86N25T
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTQ86N25T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.53
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTQ64N25P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTQ64N25P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.25
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
NTHL041N60S5H
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
166
ČÍSLO DIELU
NTHL041N60S5H-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.17
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AO4421L
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SO
HUF76445S3S
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
FQA90N10V2
MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
