FQA7N80
Výrobca Číslo produktu:

FQA7N80

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FQA7N80-DG

Popis:

MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 7.2A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventár:

12848255
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FQA7N80 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1850 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
198W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
FQA7

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

FQD20N06TF

MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK

infineon-technologies

BSF050N03LQ3GXUMA1

MOSFET N-CH 30V 15A/60A 2WDSON

alpha-and-omega-semiconductor

AOK20N60L

MOSFET N-CH 600V 20A TO247

onsemi

IRF644B-FP001

MOSFET N-CH 250V 14A TO220-3