IRF644B-FP001
Výrobca Číslo produktu:

IRF644B-FP001

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

IRF644B-FP001-DG

Popis:

MOSFET N-CH 250V 14A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 14A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

12848262
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRF644B-FP001 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
280mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
139W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRF64

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
IRF644B_FP001
IRF644B_FP001-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IRF644PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1392
ČÍSLO DIELU
IRF644PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

FDP19N40

MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3

onsemi

NVD5890NLT4G

MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOD2N100M

MOSFET N-CH TO252

onsemi

FDMS7672AS

MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN