Výrobca Číslo produktu:
FQB8P10TM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQB8P10TM-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12836626
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQB8P10TM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
530mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
470 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.75W (Ta), 65W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FQB8P10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
FQB8P10TMTR
FQB8P10TMDKR
FQB8P10TM-DG
2156-FQB8P10TM-OS
FQB8P10TMCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF5210STRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7933
ČÍSLO DIELU
IRF5210STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.26
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPB19DP10NMATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1986
ČÍSLO DIELU
IPB19DP10NMATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.85
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMS039N08B
MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
FDFS6N548
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC
FDMC8554
MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
