Výrobca Číslo produktu:
FQD7N20TM_F080
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQD7N20TM_F080-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 5.3A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12839244
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQD7N20TM_F080 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
690mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
FQD7
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD5N20LT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20061
ČÍSLO DIELU
STD5N20LT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.37
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
ZXMN20B28KTC
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3100
ČÍSLO DIELU
ZXMN20B28KTC-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.23
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDB13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
FQPF630
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
FQD5N20LTF
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK