Výrobca Číslo produktu:

FQI11N40TU

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FQI11N40TU-DG

Popis:

MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK

Podrobný popis:

N-Channel 400 V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventár:

Online RFQ

12848201

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FQI11N40TU Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

400 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

11.4A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

480mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

35 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1400 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

I2PAK

Balenie / puzdro

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Základné číslo produktu

FQI1

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

FDP8860

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

infineon-technologies

BTS115ANKSA1

MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB

onsemi

FQP18N20V2

MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3

onsemi

BS107G

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3